Datasheet > XP04601|XP4601

XP04601|XP4601

更新时间： 2022-01-18 16:26:00

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	135K
描述
Composite Device - Composite Transistors

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

XP04601|XP4601 数据手册

XP04601

Characteristics charts of Tr2

I_C V_CE

I_C I_B

I_B V_BE

−60

−400

−350

−300

−250

−200

−150

−100

−50

−60

−50

−40

−30

−20

−10

V_CE= –5 V

T_a= 25°C

V_CE= −5 V

T_a= 25°C

I_B= −300 µA

−50

−250 µA

−40

−200 µA

−30

−150 µA

−20

−100 µA

−10

−50 µA

−4

−8

−12

−16

−100

−200

−300

−400

−0.4

−0.8

−1.2

−1.6

(

)

(

)

( )

Base-emitter voltage V_BEV

Collector-emitter voltage V_CE

Base current I_BµA

I_C V_BE

V_CE(sat) I_C

h_FE I_C

−10

−1

600

500

400

300

200

100

−240

−200

−160

−120

−80

−40

I_C/ I_B= 10

V_CE= −10 V

V_CE= −5 V

25°C

−25°C

T_a= 75°C

25°C

T_a= 75°C

25°C

−25°C

−10⁻¹

−10⁻²

−10⁻³

−25°C

−1

−10

−10²

−10³

−1

−10

−10²

−10³

−0.4

−0.8

−1.2

−1.6

−2.0

(

)

Collector current I_CmA

(

)

Collector current I_CmA

(

)

Base-emitter voltage V_BE

f_T I_E

C_ob V_CB

NF  I_E

160

140

120

100

V_CB= −10 V

T_a= 25°C

f = 1 MHz

I_E= 0

V_CB= −5 V

f = 1 kHz

R_g= 2 kΩ

T_a= 25°C

10⁻²

10⁻¹

−1

−10

−10²

10⁻¹

Emitter current I_E(mA)

10²

(

)

Emitter current I_E(mA)

Collector-base voltage V_CB

SJJ00187BED

1 2 345 6

下载PDF

与XP04601|XP4601相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
XP04654	PANASONIC	Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1), Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)	获取价格
XP04654(XP4654)	ETC	複合デバイス－複合トランジスタ	获取价格
XP04654\|XP4654	ETC	Composite Device - Composite Transistors	获取价格
XP04683	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| COMPLEMENTARY \| 20V V(BR)CEO \| 15MA I(C) \| SOT-363	获取价格
XP04683(XP4683)	ETC	Composite Device - Composite Transistors	获取价格
XP04683\|XP4683	ETC	Composite Device - Composite Transistors	获取价格