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WCMA2016U4B

更新时间： 2022-09-11 11:37:55

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韦达 - WEIDA		/
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12页	239K
描述
128K x 16 Static RAM

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WCMA2016U4B 数据手册

WCMA2016U4B

Switching Waveforms

Read Cycle No. 1 (Address Transistion Controlled) ^{[13, 14]}

ADDRESS

OHA

DATA OUT

PREVIOUS DATA VALID

DATA VALID

Read Cycle No. 2 (OE Controlled) ^{[14, 15]}

ADDRESS

t_RC

t_PD

t_HZCE

t_ACE

t_HZOE

DOE

BHE/BLE

t_LZ

L ZOOEE

t_HZBE

t_DBE

t_LZBE

HIGH

IMPEDANCE

HIGH IMPEDANCE

DATA OUT

DATA VALID

t_LZCE

t_PU

V_CC

SUPPLY

CURRENT

I_CC

I_SB

50%

Notes:

13. Device is continuously selected. OE, CE = V , BHE, BLE = V .

14. WE is HIGH for read cycle.

15. Address valid prior to or coincident withCE, BHE, BLE transition LOW.

1...3 4 567 8 9...12

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