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WCMC2016V1X

更新时间： 2022-09-11 11:36:09

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描述
128K x 16 Pseudo Static RAM DIE

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WCMC2016V1X 数据手册

WCMC2016V1X

ADVANCE INFORMATION

128K x 16 Pseudo Static RAM DIE

General Physical Specification

For product parameters and availability, please refer to the WCMC2016V1X product datasheet available on the Cypress

Semiconductor Website (http://www.cypress.com).

Mfg Part Number: GC2016V5A

Die Part Number:

Substrate Connection Req.: Ground

Wafer Diameter [mm]: 200.00

Die Technology: PowerChip 0.165 µm

Metal I: 420 nm TiN/AlCu

Die Size [µm]: 4010.74 x 1565.84

Step Size [µm]: 4095.44 x 1650.89

Scribe Size [µm]: 84.70 x 84.94

Pad Count: 64

Metal II: 880 nm TiN/Ti/AlCu/TiN

Metal III: None

Die Passivation: 780nm P-Si3N4 + Polyimide

Pad Size [µm]: 73.6 x 73.6

Product Thickness Guide

Code

Description

Die (25-30 mil) in wafer form.

Min

617

320

252

Nom

685

355

280

Max

754

391

308

Unit

µm

XW14

XW11

Die (14 mil) in wafer form.

Die (11 mil) in wafer form.

Weida Semiconductor, Inc.

38-xyxyx

Revised August 22, 2001

12 3 4 5

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