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W29EE011T15B

更新时间： 2024-11-09 22:25:55
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华邦 - WINBOND /
页数 文件大小 规格书
20页 183K
描述
128K X 8 CMOS FLASH MEMORY

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W29EE011T15B 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：TSOP1, TSSOP32,.8,20针数：32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.82
最长访问时间：150 ns其他特性：HARDWARE AND SOFTWARE DATA PROTECTION; 10-YEARS DATA RETENTION; 10K PROGRAM/ERASE CYCLE
命令用户界面：NO数据轮询：YES
数据保留时间-最小值：10耐久性：10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G32长度：18.4 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
部门数/规模：1K端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP32,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
部门规模：128最大待机电流：0.0001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：8 mm
最长写入周期时间 (tWC)：10 msBase Number Matches：1

W29EE011T15B 数据手册

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W29EE011  
128K ´ 8 CMOS FLASH MEMORY  
GENERAL DESCRIPTION  
´
The W29EE011 is a 1-megabit, 5-volt only CMOS flash memory organized as 128K 8 bits. The  
PP  
device can be programmed and erased in-system with a standard 5V power supply. A 12-volt V is  
not required. The unique cell architecture of the W29EE011 results in fast program/erase operations  
with extremely low current consumption (compared to other comparable 5-volt flash memory  
products). The device can also be programmed and erased using standard EPROM programmers.  
FEATURES  
·
·
·
Single 5-volt program and erase operations  
Fast page-write operations  
Low power consumption  
-
-
Active current: 25 mA (typ.)  
- 128 bytes per page  
m
Standby current: 20 A (typ.)  
PP  
·
·
-
-
-
Page program cycle: 10 mS (max.)  
Automatic program timing with internal V  
generation  
m
Effective byte-program cycle time: 39 S  
Optional software-protected data write  
End of program detection  
-
-
Toggle bit  
·
·
·
·
·
Fast chip-erase operation: 50 mS  
Read access time: 90/150 nS  
Page program/erase cycles: 1K/10K  
Ten-year data retention  
Data polling  
·
·
·
·
Latched address and data  
TTL compatible I/O  
JEDEC standard byte-wide pinouts  
Software and hardware data protection  
Available packages: 32-pin 600 mil DIP,  
TSOP, and PLCC  
Publication Release Date: July 1999  
Revision A12  
- 1 -  
1234567...20

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
W29EE011T-90 WINBOND

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 		128K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29EE011T90B WINBOND

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 		128K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29EE012 WINBOND

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 		128K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29EE012-15 WINBOND

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 		Flash, 128KX8, 150ns, PDIP32, DIP-32
W29EE012N WINBOND

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W29EE012P-12 WINBOND

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 		Flash, 128KX8, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
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