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W29EE012N

更新时间： 2024-09-19 13:15:35

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华邦 - WINBOND		/
页数	文件大小	规格书
19页	239K
描述
EEPROM, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS

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W29EE012N 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	, DIE OR CHIP
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	150 ns
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
耐久性：	1000 Write/Erase Cycles	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
字数：	131072 words	字数代码：	128000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX8	封装等效代码：	DIE OR CHIP
页面大小：	128 words	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.05 mA	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
切换位：	YES	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

W29EE012N 数据手册

W29EE012

´ 8 CMOS FLASH MEMORY

128K

GENERAL DESCRIPTION

The W29EE012 is a 1-megabit, 5-volt only CMOS flash memory organized as 128K ´ 8 bits. The

device can be programmed and erased in-system with a standard 5V power supply. A 12-volt VPP is

not required. The unique cell architecture of the W29EE012 results in fast program/erase operations

with extremely low current consumption (compared to other comparable 5-volt flash memory products).

The device can also be programmed and erased using standard EPROM programmers.

FEATURES

· Single 5-volt program and erase operations

· Fast page-write operations

· Low power consumption

- Active current: 25 mA (typ.)

- Standby current: 20 mA (typ.)

- 128 bytes per page

- Page program cycle: 10 mS (max.)

- Effective byte-program cycle time: 39 mS

- Optional software-protected data write

· Fast chip-erase operation: 50 mS

· Page program/erase cycles: 1,000

· Ten-year data retention

· Automatic program timing with internal VPP

generation

· End of program detection

- Toggle bit

- Data polling

· Latched address and data

· TTL compatible I/O

· JEDEC standard byte-wide pinouts

· Software and hardware data protection

Publication Release Date: March 26, 2002

- 1 -

Revision A3

12 3 4 5 6 7...19

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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W29EE012S-15	WINBOND	获取价格	Flash, 128KX8, 150ns, PDSO32
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