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VS-MBRD330TRL-M3

更新时间： 2024-11-13 15:57:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
7页 146K
描述
DIODE 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SIMILAR TO TO-252AA, DPAK-3, Rectifier Diode

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VS-MBRD330TRL-M3 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-252AA
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.22其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.49 V
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：490 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：30 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

VS-MBRD330TRL-M3 数据手册

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VS-MBRD320-M3, VS-MBRD330-M3, VS-MBRD340-M3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Schottky Rectifier, 3.0 A  
FEATURES  
• Low forward voltage drop  
Base  
cathode  
4, 2  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long  
term reliability  
• Popular D-PAK outline  
1
3
• Small foot print, surface mountable  
• High frequency operation  
Anode  
Anode  
D-PAK (TO-252AA)  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
D-PAK (TO-252AA)  
3.0 A  
IF(AV)  
VR  
20 V, 30 V, 40 V  
0.49 V  
DESCRIPTION  
VF at IF  
IRM  
The VS-MBRD320-M3, VS-MBRD330-M3, VS-MBRD340-M3  
surface mount Schottky rectifier has been designed for  
applications requiring low forward drop and small foot prints  
on PC boards. Typical applications are in disk drives,  
switching power supplies, converters, freewheeling diodes,  
battery charging, and reverse battery protection.  
20 mA at 125 °C  
150 °C  
TJ max.  
Diode variation  
EAS  
Single die  
8 mJ  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
3.0  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
20 to 40  
490  
tp = 5 μs sine  
A
VF  
3 Apk, TJ = 125 °C  
0.49  
V
TJ  
-40 to +150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL VS-MBRD320-M3 VS-MBRD330-M3 VS-MBRD340-M3  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
VR  
20  
30  
40  
V
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES UNITS  
Maximum average forward current  
IF(AV)  
50 % duty cycle at TL = 133 °C, rectangular waveform  
3.0  
Following any rated load  
condition and with rated  
RRM applied  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
490  
A
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
IFSM  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
TJ = 25 °C, IAS = 1 A, L = 16 mH  
75  
V
Non-repetitive avalanche energy  
Repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
8.0  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
1.0  
Revision: 22-Nov-16  
Document Number: 93323  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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VS-MBRD330TRL-M3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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