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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> VS-10TQ035STRLPBF
VS-10TQ035STRLPBF PDF预览

VS-10TQ035STRLPBF

更新时间： 2024-11-26 12:58:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管高功率电源
页数 文件大小 规格书
8页 168K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 35V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, D2PAK-3

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VS-10TQ035STRLPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-263
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.28
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY应用：HIGH POWER
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.49 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：1050 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：35 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

VS-10TQ035STRLPBF 数据手册

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VS-10TQ035SPbF, VS-10TQ045SPbF  
Vishay High Power Products  
Schottky Rectifier, 10 A  
FEATURES  
• 175 °C TJ operation  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
Base  
cathode  
2
• High purity, high temperature epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long  
term reliability  
3
1
D2PAK  
N/C  
Anode  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC  
• AEC-Q101 qualified  
PRODUCT SUMMARY  
DESCRIPTION  
IF(AV)  
10 A  
35 V/45 V  
The VS-10TQ...SPbF Schottky rectifier series has been  
optimized for low reverse leakage at high temperature. The  
proprietary barrier technology allows for reliable operation  
up to 175 °C junction temperature. Typical applications are  
in switching power supplies, converters, freewheeling  
diodes, and reverse battery protection.  
VR  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
10  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
35/45  
tp = 5 μs sine  
10 Apk, TJ = 125 °C  
Range  
1050  
A
VF  
0.49  
V
TJ  
- 55 to 175  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VS-10TQ035SPbF  
VS-10TQ045SPbF  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
35  
45  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum average forward current  
See fig. 5  
IF(AV)  
50 % duty cycle at TC = 151 °C, rectangular waveform  
10  
A
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
See fig. 7  
Following any rated  
load condition and with  
rated VRRM applied  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
1050  
IFSM  
A
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
TJ = 25 °C, IAS = 2 A, L = 6.5 mH  
280  
13  
Non-repetitive avalanche energy  
Repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
2
Document Number: 94121  
Revision: 12-Mar-10  
For technical questions, contact: diodestech@vishay.com  
www.vishay.com  
1
12345678

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与VS-10TQ035STRLPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-10TQ035STRRHM3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 35V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
VS-10TQ035STRR-M3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 35V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
VS-10TQ040-N3 VISHAY

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 		DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
VS-10TQ040PBF VISHAY

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 		DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
VS-10TQ045-N3 VISHAY

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 		Schottky Rectifier, 10 A
VS-10TQ045PBF VISHAY

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 		Schottky Rectifier
VS-10TQ045SHM3 VISHAY

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 		High Performance Schottky Rectifier, 10 A
VS-10TQ045SPBF VISHAY

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 		Schottky Rectifier, 10 A
VS-10TQ045STRLHM3 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 45V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
VS-10TQ045STRL-M3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 45V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2

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