5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VQ07313100J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
|
| VQ07319000J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
|
| VQ07319100J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
|
| VQ100 | MICROSEMI |
获取价格 |
Military ProASIC3/EL Low Power Flash FPGAs with Flash*Freeze Technology |
|
| VQ1000 | CALOGIC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60V, 7.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
|
| VQ1000CP | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 225MA I(D) | DIP |
|
| VQ1000CY | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 225MA I(D) | SO |
|
| VQ1000J | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
|
| VQ1000J-1 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.225A I(D), 60V, 5.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| VQ1000P | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
