是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | IN-LINE, R-PDIP-T14 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.32 |
其他特性: | FAST SWITCHING | 配置: | SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.225 A |
最大漏极电流 (ID): | 0.025 A | 最大漏源导通电阻: | 5.5 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDIP-T14 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 4 |
端子数量: | 14 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 1 A |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | DUAL | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大关闭时间(toff): | 10 ns |
最大开启时间(吨): | 10 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
VQ1000J-1 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 0.225A I(D), 60V, 5.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
VQ1000P | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
VQ1000P-2 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 0.225A I(D), 60V, 5.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
VQ1001J | VISHAY |
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Quad N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs | |
VQ1001J-1 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 0.83A I(D), 30V, 1ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
VQ1001J-2 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 0.83A I(D), 30V, 1ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
VQ1001P | VISHAY |
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Quad N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs | |
VQ1001P-2 | VISHAY |
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MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP | |
VQ1001P-E3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
VQ1004J | SUPERTEX |
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Power Field-Effect Transistor, 0.46A I(D), 60V, 3.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Met |