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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.72 | 其他特性： | LOW THRESHOLD |
| 配置： | SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | JESD-30 代码： | R-PDIP-T14 |
| 元件数量： | 4 | 端子数量： | 14 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VQ1004J-2 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.46A I(D), 60V, 3.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| VQ1004J-2 | TEMIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.46A I(D), 60V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VQ1004P | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) Single and Quad MOSFETs |
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| VQ1004P-1 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.46A I(D), 60V, 3.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| VQ1004P-1 | TEMIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.46A I(D), 60V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VQ1004P-2 | TEMIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.46A I(D), 60V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VQ1006J | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 90V V(BR)DSS | 400MA I(D) | DIP |
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| VQ1006J-1 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 90V, 3.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VQ1006J-2 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 90V, 3.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VQ1006P | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 80- and 90-V (D-S) MOSFETs |
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