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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PDIP-T14 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.72 |
| 配置： | SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.46 A | 最大漏源导通电阻： | 3.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 10 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T14 | 元件数量： | 4 |
| 端子数量： | 14 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 2 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 10 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 10 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VQ1004P-2 | TEMIC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.46A I(D), 60V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VQ1006J | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 90V V(BR)DSS | 400MA I(D) | DIP |
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| VQ1006J-1 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 90V, 3.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VQ1006J-2 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 90V, 3.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VQ1006P | VISHAY |
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N-Channel 80- and 90-V (D-S) MOSFETs |
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| VQ1006P-1 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 90V, 3.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VQ1006P-2 | VISHAY |
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TRANSISTOR 0.4 A, 90 V, 3.5 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purp |
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| VQ11118100J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| VQ-120B | CUI |
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AC/DC Metal Enclosed |
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| VQ-120C | CUI |
获取价格 |
AC/DC Metal Enclosed |
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