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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.24 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VQ2000P | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 240MA I(D) | DIP |
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| VQ2001J | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors |
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| VQ2001J-1 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 30V, 2ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| VQ2001J-2 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 30V, 2ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| VQ2001P | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors |
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| VQ2001P-1 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 30V, 2ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| VQ2004J | VISHAY |
获取价格 |
Quad P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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| VQ2004J-1 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 60V, 5ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| VQ2004J-2 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 60V, 5ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| VQ2004P | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 410MA I(D) | DIP |
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