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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8536.69.40.40 |
| 风险等级： | 5.66 | 端子和端子排类型： | BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VQ17315000J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block, |
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| VQ17318100J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| VQ18119000J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| VQ18314100J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| VQ19315100J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block, |
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| VQ2000J | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 240MA I(D) | DIP |
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| VQ2000P | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 240MA I(D) | DIP |
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| VQ2001J | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors |
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| VQ2001J-1 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 30V, 2ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| VQ2001J-2 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 30V, 2ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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