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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VQ1006J-1 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 90V, 3.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VQ1006J-2 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 90V, 3.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VQ1006P | VISHAY |
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N-Channel 80- and 90-V (D-S) MOSFETs |
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| VQ1006P-1 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 90V, 3.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VQ1006P-2 | VISHAY |
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TRANSISTOR 0.4 A, 90 V, 3.5 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purp |
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| VQ11118100J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| VQ-120B | CUI |
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AC/DC Metal Enclosed |
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| VQ-120C | CUI |
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AC/DC Metal Enclosed |
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| VQ-120D | CUI |
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AC/DC Metal Enclosed |
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| VQ13319000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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