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VQ2004J

更新时间： 2024-01-19 13:43:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 52K
描述
Quad P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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VQ2004J 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PDIP-T14
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.84
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：0.41 A
最大漏源导通电阻：5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：25 pFJESD-30 代码：R-PDIP-T14
元件数量：4端子数量：14
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：3 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：30 ns最大开启时间（吨）：15 ns
Base Number Matches：1

VQ2004J 数据手册

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VQ2004J  
Vishay Siliconix  
Quad P-Channel 60-V (D-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
V(BR)DSS Min (V)  
rDS(on) Max (W)  
VGS(th) (V)  
ID (A)  
–60  
5 @ V = –10 V  
–2 to –4.5  
–0.41  
GS  
FEATURES  
BENEFITS  
APPLICATIONS  
D High-Side Switching  
D Ease in Driving Switches  
D Low Offset (Error) Voltage  
D Low-Voltage Operation  
D High-Speed Switching  
D Drivers: Relays, Solenoids, Lamps,  
Hammers, Displays, Memories,  
Transistors, etc.  
D Battery Operated Systems  
D Power Supply, Converter Circuits  
D Motor Control  
D Low On-Resistance: 2.5 W  
D Moderate Threshold: –3.4 V  
D Fast Switching Speed: 40 ns  
D Low Input Capacitance: 75 pF  
D Easily Driven Without Buffer  
Dual-In-Line  
D
S
D
S
1
1
1
4
1
2
3
4
5
6
7
14  
13  
12  
11  
10  
9
Device Marking  
Top View  
P
P
4
G
G
4
VQ2004J  
“S” fllxxyy  
NC  
NC  
“S” = Siliconix Logo  
f = Factory Code  
ll = Lot Traceability  
xxyy = Date Code  
G
2
S
2
D
2
G
S
3
3
P
P
D
3
8
Top View  
Plastic: VQ2004J  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Single  
Total Quad  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
–60  
"30  
–0.41  
–0.23  
–3  
DS  
GS  
V
T = 25_C  
A
A
Continuous Drain Current (T = 150__C)  
I
J
D
T = 100_C  
A
a
Pulsed Drain Current  
I
DM  
T = 25_C  
A
1.3  
2
A
Power Dissipation  
P
W
D
T = 100_C  
0.52  
96  
0.8  
62.5  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
R
thJA  
_C/W  
_C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
–55 to 150  
stg  
Notes  
a. Pulse width limited by maximum junction temperature.  
Document Number: 70220  
S-04279—Rev. C, 16-Jul-01  
www.vishay.com  
11-1  
1234

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与VQ2004J相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VQ2004J-1 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 60V, 5ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal
VQ2004J-2 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 60V, 5ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal
VQ2004P ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 410MA I(D) | DIP
VQ2004P-1 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 60V, 5ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal
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 		Power Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 60V, 5ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal
VQ2006J ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | P-CHANNEL | 90V V(BR)DSS | 410MA I(D) | DIP
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