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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.87 |
| Is Samacsys： | N | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.6 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VQ2001P-1 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 30V, 2ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| VQ2004J | VISHAY |
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Quad P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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| VQ2004J-1 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 60V, 5ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| VQ2004J-2 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 60V, 5ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| VQ2004P | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 410MA I(D) | DIP |
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| VQ2004P-1 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 60V, 5ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| VQ2004P-2 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 60V, 5ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| VQ2006J | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | P-CHANNEL | 90V V(BR)DSS | 410MA I(D) | DIP |
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| VQ2006J-1 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 90V, 5ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| VQ2006J-2 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 90V, 5ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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