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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PDIP-T14 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.41 A | 最大漏源导通电阻： | 5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 25 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T14 | 元件数量： | 4 |
| 端子数量： | 14 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 3 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 30 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 15 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VQ2004J-2 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 60V, 5ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| VQ2004P | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 410MA I(D) | DIP |
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| VQ2004P-1 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 60V, 5ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| VQ2004P-2 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 60V, 5ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| VQ2006J | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | P-CHANNEL | 90V V(BR)DSS | 410MA I(D) | DIP |
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| VQ2006J-1 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 90V, 5ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| VQ2006J-2 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 90V, 5ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| VQ2006P | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | P-CHANNEL | 90V V(BR)DSS | 410MA I(D) | DIP |
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| VQ2006P-1 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 90V, 5ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| VQ2006P-2 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 90V, 5ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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