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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PDIP-T14 | 针数： | 14 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 25 pF | JESD-30 代码： | R-PDIP-T14 |
| 元件数量： | 4 | 端子数量： | 14 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 3 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 20 ns | 最大开启时间（吨）： | 20 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VQ7254J-1 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 3ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Sil |
|
| VQ7254J-2 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 3ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Sil |
|
| VQ7254N6 | SUPERTEX |
获取价格 |
N- and P-Channel Quad Power MOSFET Arrays |
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| VQ7254P | ETC |
获取价格 |
N-and P-Channel Enhancement -Mode MOS Transistor Arrays |
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| VQ80386EX-25 | INTEL |
获取价格 |
RISC Microprocessor, 32-Bit, 25MHz, CMOS, CQFP164 |
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| VQ80486DX4100 | INTEL |
获取价格 |
Microprocessor, 32-Bit, 100MHz, CMOS, CQFP196, CAVITY-UP, CERAMIC, QUAD PACK-196 |
|
| VQ80486DX475 | INTEL |
获取价格 |
Microprocessor, 32-Bit, 75MHz, CMOS, CQFP196, CAVITY-UP, CERAMIC, QUAD PACK-196 |
|
| VQ87C196KD-20 | INTEL |
获取价格 |
Microcontroller, 16-Bit, OTPROM, 20MHz, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68 |
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| VQA_13 | CUI |
获取价格 |
DC-DC CONVERTER |
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| VQA3-S12-D15-S | CUI |
获取价格 |
VQA3-S系列是专为IGBT驱动器应用而设计的7针SIP隔离式DC-DC转换器。这些DC |
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