生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | IN-LINE, R-PDIP-T14 | 针数: | 14 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.84 |
配置: | SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (ID): | 2 A | 最大漏源导通电阻: | 3 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 25 pF |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T14 | 元件数量: | 4 |
端子数量: | 14 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 3 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | DUAL |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大关闭时间(toff): | 20 ns |
最大开启时间(吨): | 20 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
VQ7254J-2 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 3ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Sil | |
VQ7254N6 | SUPERTEX |
获取价格 |
N- and P-Channel Quad Power MOSFET Arrays | |
VQ7254P | ETC |
获取价格 |
N-and P-Channel Enhancement -Mode MOS Transistor Arrays | |
VQ80386EX-25 | INTEL |
获取价格 |
RISC Microprocessor, 32-Bit, 25MHz, CMOS, CQFP164 | |
VQ80486DX4100 | INTEL |
获取价格 |
Microprocessor, 32-Bit, 100MHz, CMOS, CQFP196, CAVITY-UP, CERAMIC, QUAD PACK-196 | |
VQ80486DX475 | INTEL |
获取价格 |
Microprocessor, 32-Bit, 75MHz, CMOS, CQFP196, CAVITY-UP, CERAMIC, QUAD PACK-196 | |
VQ87C196KD-20 | INTEL |
获取价格 |
Microcontroller, 16-Bit, OTPROM, 20MHz, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68 | |
VQA_13 | CUI |
获取价格 |
DC-DC CONVERTER | |
VQA3-S12-D15-S | CUI |
获取价格 |
VQA3-S系列是专为IGBT驱动器应用而设计的7针SIP隔离式DC-DC转换器。这些DC | |
VQA3-S15-D15-S | CUI |
获取价格 |
VQA3-S系列是专为IGBT驱动器应用而设计的7针SIP隔离式DC-DC转换器。这些DC |