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VQ3001P

更新时间: 2024-10-02 20:14:31
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 172K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 30V, 1ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

VQ3001P 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.72Is Samacsys:N
配置:SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):0.85 A最大漏源导通电阻:1 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-CDIP-T14
元件数量:4端子数量:14
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):3 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

VQ3001P 数据手册

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