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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PDIP-T14 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 90 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.41 A |
| 最大漏源导通电阻： | 5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 25 pF | JESD-30 代码： | R-PDIP-T14 |
| 元件数量： | 4 | 端子数量： | 14 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 3 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 30 ns | 最大开启时间（吨）： | 15 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VQ2006J-1 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 90V, 5ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| VQ2006J-2 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 90V, 5ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| VQ2006P | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | P-CHANNEL | 90V V(BR)DSS | 410MA I(D) | DIP |
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| VQ2006P-1 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 90V, 5ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| VQ2006P-2 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 90V, 5ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| VQ2011C000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| VQ2011C100J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| VQ20315100J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block, |
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| VQ22112100J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| VQ3001 | SUPERTEX |
获取价格 |
N- and P-Channel Quad Power MOSFET Arrays |
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