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VQ3001N6

更新时间: 2024-11-25 03:19:11
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超科 - SUPERTEX 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管输入元件
页数 文件大小 规格书
3页 144K
描述
N- and P-Channel Quad Power MOSFET Arrays

VQ3001N6 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:IN-LINE, R-PDIP-T14
针数:14Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.77
Is Samacsys:N其他特性:HIGH INPUT IMPEDANCE
配置:SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):1.6 A最大漏极电流 (ID):1.4 A
最大漏源导通电阻:2 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):50 pFJESD-30 代码:R-PDIP-T14
JESD-609代码:e0元件数量:4
端子数量:14工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
功耗环境最大值:1.5 W最大功率耗散 (Abs):1.5 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

VQ3001N6 数据手册

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