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VQ1004J

更新时间： 2024-11-24 20:18:43

品牌	Logo	应用领域
超科 - SUPERTEX		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	19K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.46A I(D), 60V, 3.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, DIP-14

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VQ1004J 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	IN-LINE, R-PDIP-T14
针数：	14	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.21	Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.46 A	最大漏极电流 (ID)：	0.46 A
最大漏源导通电阻：	3.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	10 pF	JESD-30 代码：	R-PDIP-T14
JESD-609代码：	e0	元件数量：	4
端子数量：	14	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.3 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	2 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	10 ns
最大开启时间（吨）：	10 ns	Base Number Matches：	1

VQ1004J 数据手册

VQ1004

N-Channel Enhancement-Mode

Vertical DMOS FET Quad Array

Ordering Information

Order Number / Package

Quad Plastic DIP

VQ1004J

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D(ON)

(min)

BV_DGS

(max)

60V

3.5Ω

1.5AV

Features

Advanced DMOS Technology

These enhancement-mode (normally-off) DMOS FET arrays

utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven

silicon-gate manufacturing process. This combination produces

devices with the power handling capabilities of bipolar transistors

and with the high input impedance and positive temperature

coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS

structures, these devices are free from thermal runaway and

thermally-induced secondary breakdown.

■ Free from secondary breakdown

■ Low power drive requirement

■ Ease of paralleling

■ Low C_ISSand fast switching speeds

■ Excellent thermal stability

■ Integral Source-Drain diode

Supertex quad arrays use four independent DMOS transistors.

They areideallysuitedtoawiderangeofswitchingandamplifying

applications where high breakdown voltage, high input imped-

ance, low input capacitance, and fast switching speeds are de-

sired.

■ High input impedance and high gain

■ Complementary N- and P-channel devices

Applications

■ Motor controls

■ Convertors

Pin Configuration

■ Amplifiers

■ Switches

■ Power supply circuits

■ Drivers (relays, hammers, solenoids, lamps,

memories, displays, bipolar transistors, etc.)

Absolute Maximum Ratings

Drain-to-Source Voltage

Drain-to-Gate Voltage

Gate-to-Source Voltage

BV_DSS

BV_DGS

top view

± 30V

14-pin DIP

Operating and Storage Temperature

-55°C to +150°C

300°C

Soldering Temperature*

Note: See Package Outline section for dimensions.

* Distance of 1.6 mm from case for 10 seconds.

9-34

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VQ1004J-1	TEMIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 4-Element, Silicon,
VQ1004J-2	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.46A I(D), 60V, 3.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Met
VQ1004J-2	TEMIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.46A I(D), 60V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta
VQ1004P	VISHAY	获取价格	N-Channel 60-V (D-S) Single and Quad MOSFETs
VQ1004P-1	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.46A I(D), 60V, 3.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Met
VQ1004P-1	TEMIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.46A I(D), 60V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta
VQ1004P-2	TEMIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.46A I(D), 60V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta
VQ1006J	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| ARRAY \| N-CHANNEL \| 90V V(BR)DSS \| 400MA I(D) \| DIP
VQ1006J-1	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 90V, 3.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta
VQ1006J-2	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 90V, 3.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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