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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> VQ1004J
VQ1004J PDF预览

VQ1004J

更新时间： 2024-11-20 22:15:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 60K
描述
N-Channel 60-V (D-S) Single and Quad MOSFETs

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VQ1004J 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.32Is Samacsys：N
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.46 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e0工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.3 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

VQ1004J 数据手册

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2N6660, VQ1004J/P  
Vishay Siliconix  
N-Channel 60-V (D-S) Single and Quad MOSFETs  
PRODUCT SUMMARY  
Part Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W)  
VGS(th) (V)  
ID (A)  
2N6660  
3 @ V = 10 V  
0.8 to 2  
1.1  
GS  
60  
VQ1004J/P  
3.5 @ V = 10 V  
GS  
0.8 to 2.5  
0.46  
FEATURES  
BENEFITS  
APPLICATIONS  
D Low On-Resistance: 1.3 W  
D Low Threshold: 1.7 V  
D Low Offset Voltage  
D Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS  
D Low-Voltage Operation  
D Easily Driven Without Buffer  
D High-Speed Circuits  
D Low Error Voltage  
D Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,  
Displays, Memories, Transistors, etc.  
D Low Input Capacitance: 35 pF  
D Fast Switching Speed: 8 ns  
D Low Input and Output Leakage  
D Battery Operated Systems  
D Solid-State Relays  
Dual-In-Line  
Device Marking  
Top View  
TO-205AD  
(TO-39)  
D
S
D
S
1
4
1
2
3
4
5
6
7
14  
13  
12  
11  
10  
9
N
N
1
4
VQ1004J  
“S” fllxxyy  
S
G
1
G
Device Marking  
Side View  
4
1
2
NC  
NC  
VQ1004P  
“S” fllxxyy  
2N6660  
“S” fllxxyy  
G
2
S
2
D
2
G
3
3
S
N
N
“S” = Siliconix Logo  
f = Factory Code  
ll = Lot Traceability  
xxyy = Date Code  
“S” = Siliconix Logo  
f = Factory Code  
ll = Lot Traceability  
xxyy = Date Code  
3
D
3
G
D
8
Top View  
2N6660  
Top View  
Plastic: VQ1004J  
Sidebraze: VQ1004P  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Single  
Total Quad  
VQ1004J VQ1004P VQ1004J/P  
Parameter  
Symbol 2N6660  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
60  
"20  
1.1  
0.8  
3
60  
"30  
0.46  
0.26  
2
60  
"20  
"0.46  
0.26  
2
DS  
GS  
V
V
T = 25_C  
C
Continuous Drain Current  
I
D
(T = 150_C)  
T = 100_C  
C
J
A
a
Pulsed Drain Current  
I
DM  
T = 25_C  
6.25  
2.5  
170  
20  
1.3  
1.3  
2
C
Power Dissipation  
P
W
D
T = 100_C  
C
0.52  
0.96  
0.52  
0.96  
0.8  
62.5  
b
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
R
R
thJA  
_C/W  
_C  
thJC  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
–55 to 150  
stg  
Notes  
a. Pulse width limited by maximum junction temperature.  
b. This parameter not registered with JEDEC.  
Document Number: 70222  
S-04379—Rev. E, 16-Jul-01  
www.vishay.com  
11-1  
12345

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VQ1004J 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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