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VQ1000CY

更新时间: 2024-01-23 01:26:12
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 97K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 225MA I(D) | SO

VQ1000CY 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:IN-LINE, R-PDIP-T14Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.25
Is Samacsys:N其他特性:FAST SWITCHING
配置:SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.225 A最大漏极电流 (ID):0.025 A
最大漏源导通电阻:5.5 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDIP-T14元件数量:4
端子数量:14工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2 W最大脉冲漏极电流 (IDM):1 A
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):10 ns最大开启时间(吨):10 ns
Base Number Matches:1

VQ1000CY 数据手册

 浏览型号VQ1000CY的Datasheet PDF文件第2页 

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