生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8536.69.40.40 |
风险等级: | 5.66 | 端子和端子排类型: | BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
VQ07319100J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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VQ100 | MICROSEMI |
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Military ProASIC3/EL Low Power Flash FPGAs with Flash*Freeze Technology |
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VQ1000 | CALOGIC |
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Power Field-Effect Transistor, 60V, 7.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
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VQ1000CP | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 225MA I(D) | DIP |
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VQ1000CY | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 225MA I(D) | SO |
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VQ1000J | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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VQ1000J-1 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 0.225A I(D), 60V, 5.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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VQ1000P | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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VQ1000P-2 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.225A I(D), 60V, 5.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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VQ1001J | VISHAY |
获取价格 |
Quad N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs |
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