5秒后页面跳转
VQ07313100J0G PDF预览

VQ07313100J0G

更新时间: 2024-01-27 06:07:45
品牌 Logo 应用领域
安费诺 - AMPHENOL 端子和端子排
页数 文件大小 规格书
1页 86K
描述
Barrier Strip Terminal Block

VQ07313100J0G 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8536.69.40.40
风险等级:5.67端子和端子排类型:BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK
Base Number Matches:1

VQ07313100J0G 数据手册

  
VQ xx 3 1 x 1 00J0 G  
c
us  
PDS: Rev :A  
STATUS:Released  
Printed: May 28, 2014  

与VQ07313100J0G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VQ07319000J0G AMPHENOL

获取价格

Barrier Strip Terminal Block
VQ07319100J0G AMPHENOL

获取价格

Barrier Strip Terminal Block
VQ100 MICROSEMI

获取价格

Military ProASIC3/EL Low Power Flash FPGAs with Flash*Freeze Technology
VQ1000 CALOGIC

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 60V, 7.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem
VQ1000CP ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 225MA I(D) | DIP
VQ1000CY ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 225MA I(D) | SO
VQ1000J VISHAY

获取价格

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
VQ1000J-1 VISHAY

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 0.225A I(D), 60V, 5.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Me
VQ1000P VISHAY

获取价格

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
VQ1000P-2 VISHAY

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 0.225A I(D), 60V, 5.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Me