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VNA7NV04D13TR

更新时间： 2024-11-01 19:57:11

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		驱动光电二极管接口集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	70K
描述
2 CHANNEL, BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PDSO16, SO-16

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VNA7NV04D13TR 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SO-16	针数：	16
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.84
内置保护：	TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL	接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：	R-PDSO-G16	长度：	9.9 mm
功能数量：	2	端子数量：	16
输出电流流向：	SINK	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.75 mm	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	3.9 mm
Base Number Matches：	1

VNA7NV04D13TR 数据手册

VNA7NV04D

“OMNIFET II”:

FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETS

TARGET SPECIFICATION

TYPE

R_DS(on)

I_lim

V_clamp

VNA7NV04D 60 mΩ (*)

6 A (*)

40 V (*)

(*) Per each device

■ LINEAR CURRENT LIMITATION

■ THERMAL SHUT DOWN

■ SHORT CIRCUIT PROTECTIONS

■ INTEGRATED CLAMP

■ LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PINS

■ DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT

PINS

■ ESD PROTECTION

■ DIRECT ACCESS TO THE GATE OF EACH

SO-16 (DOUBLE ISLAND)

POWER MOSFET (ANALOG DRIVING)

■ COMPATIBLE WITH STANDARD POWER

MOSFETS

DESCRIPTION

The VNA7NV04D is a device |formed by two|

monolithic OMNIFET II chips housed in a

standard SO-16 package with double island.

MOSFETS from DC up to 50KHz applications.

Built in thermal shutdown, linear current limitation

and overvoltage clamp protect the chips in harsh

environments.

The

OMNIFET

are

designed

STMicroelectronics VIPower M0 Technology; they

are intended for replacement of standard Power

Fault feedback can be detected by monitoring the

voltage at the input pins.

BLOCK DIAGRAM

DRAIN2

DRAIN1

OVERVOLTAGE

CLAMP

OVERVOLTAGE

CLAMP

INPUT1

INPUT2

GATE

CONTROL

GATE

CONTROL

LINEAR

CURRENT

LIMITER

CURRENT

OVER

TEMPERATURE

OVER

TEMPERATURE

LIMITER

SOURCE1 SOURCE2

October 2000

1/10

12 3 4 5 6 7...10

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