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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, D2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.15 | Is Samacsys： | N |
| 内置保护： | TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL | 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 10.2 mm | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 输出电流流向： | SINK | 标称输出峰值电流： | 18 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TO-263 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.83 mm | 标称供电电压： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 断开时间： | 25 µs | 接通时间： | 4.5 µs |
| 宽度： | 9.15 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| VNB14NV04TR-E | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
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| VNB14NV04-E | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
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| VNB14NV04 | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VNB14NV04-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
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| VNB14NV04TR-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
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| VNB20N07 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET |
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| VNB20N07(8957) | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
VNB20N07(8957) |
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| VNB20N07(8957)TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
暂无描述 |
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| VNB20N07-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
"OMNIFET": FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET |
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| VNB20N07TR-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
暂无描述 |
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| VNB28N04 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET |
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| VNB28N0413TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
28A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PSSO2, TO-263, D2PAK-3 |
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| VNB28N04-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,42V V(BR)DSS,28A I(D),TO-263AB |
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