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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | TO-263, D2PAK-3 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.81 | 内置保护： | OVER CURRENT; THERMAL; ZENER CLAMP |
| 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 10.14 mm |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 输出电流流向： | SINK |
| 标称输出峰值电流： | 28 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.6 mm |
| 表面贴装： | YES | 技术： | MOS |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | SINGLE |
| 断开时间： | 10 µs | 接通时间： | 0.7 µs |
| 宽度： | 9.15 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| VNB28N04 | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VNB28N04-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,42V V(BR)DSS,28A I(D),TO-263AB |
|
| VNB28N04TR-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,42V V(BR)DSS,28A I(D),TO-263AB |
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| VNB2XWT1-1ALDH-XPB1 | Carling Technologies |
获取价格 |
Rocker Switch, 15A, 24VDC, Quick Connect Terminal, Rocker Actuator, Panel Mount, |
|
| VNB2XWV1-1ALXX-3-XLH2 | Carling Technologies |
获取价格 |
Rocker Switch, 15A, 24VDC, Quick Connect Terminal, Rocker Actuator, Panel Mount, |
|
| VNB35N07 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET |
|
| VNB35N07-E | STMICROELECTRONICS |
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âOMNIFETâ: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSF |
|
| VNB35N07TR-E | STMICROELECTRONICS |
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暂无描述 |
|
| VNB35NV04 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE |
|
| VNB35NV0413TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
45A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PSSO2, ROHS COMPLIANT, D2PAK-2 |
|
| VNB35NV04-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II: fully autoprotected Power MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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