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VNB35NV0413TR

更新时间： 2024-09-16 15:57:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 驱动接口集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 428K
描述
45A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PSSO2, ROHS COMPLIANT, D2PAK-2

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VNB35NV0413TR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：ROHS COMPLIANT, D2PAK-2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.82
内置保护：TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
长度：10.2 mm湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：2
输出电流流向：SINK标称输出峰值电流：45 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TO-263
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245认证状态：Not Qualified
座面最大高度：4.826 mm表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子节距：2.54 mm端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED断开时间：150 µs
接通时间：12 µs宽度：9.15 mm
Base Number Matches：1

VNB35NV0413TR 数据手册

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VNB35NV04 / VNP35NV04  
/ VNV35NV04 / VNW35NV04  
®
“OMNIFET II”:  
FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET  
TYPE  
R
I
V
clamp  
DS(on)  
lim  
VNB35NV04  
VNP35NV04  
VNV35NV04  
VNW35NV04  
10  
10 mΩ (*)  
30 A  
40 V  
3
1
1
2
PowerSO-10™  
D PAK  
(*) For PowerSO-10 only  
LINEAR CURRENT LIMITATION  
THERMAL SHUT DOWN  
3
3
2
1
2
1
SHORT CIRCUIT PROTECTION  
INTEGRATED CLAMP  
LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN  
DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT  
PIN  
TO-220  
TO-247  
ORDER CODES:  
2
VNB35NV04  
VNP35NV04  
VNV35NV04  
VNW35NV04  
D PAK  
TO-220  
PowerSO-10™  
TO-247  
ESD PROTECTION  
DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THE  
POWER MOSFET (ANALOG DRIVING)  
intended for replacement of standard Power  
MOSFETS from DC up to 25KHz applications.  
Built in thermal shutdown, linear current limitation  
and overvoltage clamp protect the chip in harsh  
environments. Fault feedback can be detected by  
monitoring the voltage at the input pin.  
COMPATIBLE WITH STANDARD POWER  
MOSFET  
DESCRIPTION  
The VNB35NV04, VNP35NV04, VNV35NV04,  
VNW35NV04 are monolithic devices designed in  
STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology,  
BLOCK DIAGRAM  
DRAIN  
2
Overvoltage  
Clamp  
INPUT  
Gate  
Control  
1
Linear  
Current  
Limiter  
Over  
Temperature  
3
SOURCE  
FC01000  
July 2003  
1/19  
1234567...19

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VNB35NV0413TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
VNB35NV04TR-E STMICROELECTRONICS

完全替代

 OMNIFET II: fully autoprotected Power MOSFET
VNB35NV04 STMICROELECTRONICS

完全替代

 “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE

与VNB35NV0413TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VNB35NV04-E STMICROELECTRONICS

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 		OMNIFET II: fully autoprotected Power MOSFET
VNB35NV04TR-E STMICROELECTRONICS

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 		OMNIFET II: fully autoprotected Power MOSFET
VNB49N04 STMICROELECTRONICS

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 		“OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VNB49N0413TR ETC

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