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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| Factory Lead Time： | 18 weeks | 风险等级： | 2.2 |
| Is Samacsys： | N | 内置保护： | TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL |
| 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 长度： | 10.2 mm | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 输出电流流向： | SINK |
| 标称输出峰值电流： | 35 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 座面最大高度： | 4.83 mm |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 断开时间： | 16 µs |
| 接通时间： | 800 µs | 宽度： | 9.15 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VNB35N07TR-E | STMICROELECTRONICS |
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暂无描述 |
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| VNB35NV04 | STMICROELECTRONICS |
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“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE |
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| VNB35NV0413TR | STMICROELECTRONICS |
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45A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PSSO2, ROHS COMPLIANT, D2PAK-2 |
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| VNB35NV04-E | STMICROELECTRONICS |
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OMNIFET II: fully autoprotected Power MOSFET |
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| VNB35NV04TR-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II: fully autoprotected Power MOSFET |
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| VNB49N04 | STMICROELECTRONICS |
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“OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET |
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| VNB49N0413TR | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | TO-263AB |
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| VNC | VISHAY |
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Vitreous Wirewound Power Resistors |
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| VNC08044A4702JB | VISHAY |
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Vitreous Wirewound Power Resistors |
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| VNC08044A4702KB | VISHAY |
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Vitreous Wirewound Power Resistors |
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