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V12P10-E3/87A PDF预览

V12P10-E3/87A

更新时间： 2024-11-29 06:02:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
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5页 111K
描述
High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P10-E3/87A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.84
配置：SINGLE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.64 VJESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：1最高工作温度：150 °C
最大输出电流：12 A最大重复峰值反向电压：100 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：1

V12P10-E3/87A 数据手册

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New Product  
V12P10  
Vishay General Semiconductor  
High Current Density Surface Mount  
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low V = 0.43 V at I = 5 A  
F
F
FEATURES  
TMBS® eSMPTM Series  
• Very low profile - typical height of 1.1 mm  
• Ideal for automated placement  
K
• Trench MOS Schottky technology  
• Low forward voltage drop, low power  
losses  
1
2
• High efficiency operation  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 260 °C  
TO-277A (SMPC)  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
Anode 1  
Anode 2  
K
Cathode  
• Halogen-free  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-277A (SMPC)  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
12 A  
100 V  
200 A  
Molding compound meets UL 94V-0 flammability  
rating.  
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade  
Base P/NHE3 - RoHS compliant, high reliability/  
automotive grade (AEC-Q101 qualified)  
Base P/N-M3 - halogen-free and RoHS compliant,  
commercial grade  
EAS  
100 mJ  
0.58 V  
150 °C  
VF at IF = 12 A  
TJ max.  
Base P/NHM3 - halogen-free and RoHS compliant,  
high reliability/automotive grade (AEC-Q101 qualified)  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
E3 and M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker  
test, HE3 and HM3 suffix meets JESD 201 class 2  
whisker test  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in low voltage high frequency inverters,  
freewheeling, dc-to-dc converters and polarity  
protection applications.  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
V12P10  
V1210  
100  
UNIT  
Device marking code  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum average forward rectified current (Fig. 1)  
VRRM  
IF(AV)  
V
A
12  
Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
200  
A
Non-repetitive avalanche energy  
at IAS = 2.0 A, TJ = 25 °C  
EAS  
J, TSTG  
100  
mJ  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
T
- 40 to + 150  
Document Number: 88981  
Revision: 30-Jul-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
1
12345

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V12P10-E3/87A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
V12P10HM3/86A VISHAY

完全替代

 High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V12P10-M3/87A VISHAY

类似代替

 High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		DIODE 12 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A, GREEN, PLASTIC, SMPC, 3 PIN, Rectifi
V12P10-G3/87A VISHAY

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 		DIODE 12 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A, GREEN, PLASTIC, SMPC, 3 PIN, Rectifi
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V12P10HM3 VISHAY

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 		High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V12P10HM3_A/H VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 12A, 100V V(RRM), Silicon, TO-277A, HALOGEN

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