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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-277 |
| 包装说明： | R-PDSO-F3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.7 |
| 其他特性： | FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS | 应用： | EFFICIENCY |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | TO-277A | JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 150 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 最大输出电流： | 12 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 120 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| V12P12-G3/87A | VISHAY |
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DIODE 12 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A, GREEN, PLASTIC, SMPC, 3 PIN, Rectifi |
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| V12P12HM3_A/H | VISHAY |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 12A, 120V V(RRM), Silicon, TO-277A, HALOGEN |
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| V12P12HM3_A/I | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 12A, 120V V(RRM), Silicon, TO-277A, HALOGEN |
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| V12P12HM3-86A | VISHAY |
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High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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| V12P12HM3-87A | VISHAY |
获取价格 |
High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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| V12P12-M3/86A | VISHAY |
获取价格 |
High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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| V12P12-M3/87A | VISHAY |
获取价格 |
High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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| V12P12-M3-86A | VISHAY |
获取价格 |
High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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| V12P12-M3-87A | VISHAY |
获取价格 |
High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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| V12P15 | VISHAY |
获取价格 |
High Current Density Surface Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low |
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