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V12P12HM3_A/I PDF预览

V12P12HM3_A/I

更新时间： 2024-11-29 20:37:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY PC功效瞄准线光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 95K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 12A, 120V V(RRM), Silicon, TO-277A, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMPC, 3 PIN

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V12P12HM3_A/I 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMPC, 3 PINReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：5.7
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.8 VJEDEC-95代码：TO-277A
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：12 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：120 V
最大反向电流：500 µA表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

V12P12HM3_A/I 数据手册

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V12P12  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
High Current Density Surface Mount  
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 6 A  
FEATURES  
Available  
• Very low profile - typical height of 1.1 mm  
TMBS® eSMP® Series  
• Ideal for automated placement  
• Trench MOS Schottky technology  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
K
1
• Meets MSL level 1, per J-STD-020,  
LF maximum peak of 260 °C  
2
• AEC-Q101 qualified available  
- Automotive ordering code; base P/NHM3  
TO-277A (SMPC)  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
K
Anode 1  
Anode 2  
Cathode  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-277A (SMPC)  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
12 A  
120 V  
Base P/N-M3  
-
halogen-free, RoHS-compliant, and  
VRRM  
commercial grade  
IFSM  
150 A  
100 mJ  
0.63 V  
150 °C  
Base P/NHM3  
- halogen-free, RoHS-compliant and  
EAS  
AEC-Q101 qualified  
Base P/NHM3_X - halogen-free, RoHS-compliant and  
AEC-Q101 qualified   
VF at IF = 12 A  
TJ max.  
(“_X” denotes revision code e.g. A, B,.....)  
Package  
TO-277A (SMPC)  
Single die  
Diode variations  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HM3 suffix  
meets JESD 201 class 2 whisker test  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in low voltage high frequency inverters,  
freewheeling, DC/DC converters and polarity protection  
applications.  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
V12P12  
V1212  
120  
UNIT  
Device marking code  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum average forward rectified current (fig. 1)  
VRRM  
IF(AV)  
V
A
12  
Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
150  
A
Non-repetitive avalanche energy at IAS = 2.0 A, L = 50 mH, TJ = 25 °C  
Peak repetitive reverse current at tp = 2 μs, 1 kHz, TJ = 38 °C 2 °C  
Operating junction and storage temperature range  
EAS  
IRRM  
100  
0.5  
mJ  
A
TJ, TSTG  
-40 to +150  
°C  
Revision: 16-Dec-14  
Document Number: 89094  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345

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