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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> V12P12-M3/87A
V12P12-M3/87A PDF预览

V12P12-M3/87A

更新时间： 2024-11-29 06:02:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管光电二极管瞄准线功效
页数 文件大小 规格书
5页 110K
描述
High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P12-M3/87A 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-277
包装说明：R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.41
Is Samacsys：N其他特性：FREEWHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.7 V
JEDEC-95代码：TO-277AJESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：12 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：120 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

V12P12-M3/87A 数据手册

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New Product  
V12P12  
Vishay General Semiconductor  
High Current Density Surface Mount  
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low V = 0.51 V at I = 6 A  
F
F
FEATURES  
TMBS® eSMPTM Series  
• Very low profile - typical height of 1.1 mm  
• Ideal for automated placement  
K
• Trench MOS Schottky technology  
• Low forward voltage drop, low power  
losses  
1
2
• High efficiency operation  
TO-277A (SMPC)  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 260 °C  
Anode 1  
Anode 2  
K
Cathode  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
• Halogen-free  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
12 A  
120 V  
150 A  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-277A (SMPC)  
EAS  
100 mJ  
0.63 V  
150 °C  
Molding compound meets UL 94V-0 flammability  
rating.  
VF at IF = 12 A  
TJ max.  
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade  
Base P/N-M3 - halogen-free and RoHS compliant,  
commercial grade  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in low voltage high frequency inverters,  
freewheeling, dc-to-dc converters and polarity  
protection applications.  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
E3 and M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker  
test  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
V12P12  
V1212  
120  
UNIT  
Device marking code  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum average forward rectified current (Fig. 1)  
VRRM  
IF(AV)  
V
A
12  
Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
150  
A
Non-repetitive avalanche energy  
at IAS = 2.0 A, L = 50 mH, TJ = 25 °C  
EAS  
J, TSTG  
100  
mJ  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
T
- 40 to + 150  
Document Number: 89094  
Revision: 29-Jul-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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