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V12P10HG3/87A

更新时间： 2024-11-29 19:54:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY PC功效瞄准线光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 105K
描述
DIODE 12 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A, GREEN, PLASTIC, SMPC, 3 PIN, Rectifier Diode

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V12P10HG3/87A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-277
包装说明：R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.24
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS, HIGH RELIABILITY应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.64 VJEDEC-95代码：TO-277A
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：1相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：12 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

V12P10HG3/87A 数据手册

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New Product  
V12P10  
Vishay General Semiconductor  
High Current Density Surface Mount  
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low V = 0.43 V at I = 5 A  
F
F
FEATURES  
TMBS® eSMPTM Series  
• Very low profile - typical height of 1.1 mm  
• Ideal for automated placement  
K
• Trench MOS Schottky technology  
• Low forward voltage drop, low power  
losses  
1
2
• High efficiency operation  
• “Green” molding compound (GMC)  
TO-277A (SMPC)  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 260 °C  
Anode 1  
Anode 2  
K
Cathode  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-277A (SMPC)  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
12 A  
100 V  
200 A  
Molding compound meets UL 94V-0 flammability  
rating.  
EAS  
100 mJ  
0.58 V  
150 °C  
“G” vs. “E” suffix defines molding as none green, “E”,  
or green molding compound (GMC) “G”.  
VF at IF = 12 A  
TJ max.  
“G” is defined as halogen-free (HF) and antimony-free  
molding compound.  
TYPICAL APPLICATIONS  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
E3 and G3 suffix for consumer grade, meets JESD 201  
class 1A whisker test, HE3 and HG3 suffix for  
high reliability grade (AEC Q101 qualified), meets  
JESD 201 class 2 whisker test  
For use in low voltage high frequency inverters,  
freewheeling, dc-to-dc converters and polarity  
protection applications.  
Note:  
• There is no industry standard for definition of HF, or GMC for  
components.  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
V12P10  
V1210  
100  
UNIT  
Device marking code  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum average forward rectified current (Fig. 1)  
VRRM  
IF(AV)  
V
A
12  
Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
200  
A
Non-repetitive avalanche energy  
at IAS = 2.0 A, TJ = 25 °C  
EAS  
J, TSTG  
100  
mJ  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
T
- 40 to + 150  
Document Number: 88981  
Revision: 26-May-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
V12P10HM3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 12A, 100V V(RRM), Silicon, TO-277A, HALOGEN
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