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V12P10HM3_A/H

更新时间： 2024-11-29 19:58:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		PC 功效瞄准线光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	97K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 12A, 100V V(RRM), Silicon, TO-277A, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMPC, 3 PIN

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V12P10HM3_A/H 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-F3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
Factory Lead Time：	12 weeks	风险等级：	1.03
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.7 V	JEDEC-95代码：	TO-277A
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	200 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	12 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
参考标准：	AEC-Q101	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向电流：	250 µA	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

V12P10HM3_A/H 数据手册

V12P10

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

High Current Density Surface Mount

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low V_F= 0.43 V at I_F= 5 A

FEATURES

• Very low profile - typical height of 1.1 mm

TMBS^®eSMP^®Series

• Ideal for automatic placement

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020,

LF maximum peak of 260 °C

• AEC-Q101 qualified available

- Automotive ordering code; base P/NHM3

TO-277A (SMPC)

Anode 1

Anode 2

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

Cathode

MECHANICAL DATA

Case: TO-277A (SMPC)

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

12 A

Base P/N-M3

commercial grade

halogen-free, RoHS-compliant, and

V_RRM

100 V

200 A

I_FSM

Base P/NHM3

AEC-Q101 qualified

Base P/NHM3_X - halogen-free, RoHS-compliant and

AEC-Q101 qualified 

- halogen-free, RoHS-compliant and

E_AS

100 mJ

0.58 V

150 °C

V_Fat I_F= 12 A

T_Jmax.

Package

TO-277A (SMPC)

Single die

(“_X” denotes revision code e.g. A, B,.....)

Diode variations

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HM3 suffix

meets JESD 201 class 2 whisker test



TYPICAL APPLICATIONS

For use in low voltage high frequency inverters,

freewheeling, DC/DC converters and polarity protection

applications.

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

V12P10

V1210

100

UNIT

Device marking code

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum average forward rectified current (fig. 1)

V_RRM

I_F(AV)

Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave 

superimposed on rated load

I_FSM

200

Non-repetitive avalanche energy at I_AS= 2.0 A, T_J= 25 °C

Peak repetitive reverse current at t_p= 2 μs, 1 kHz, T_J= 38 °C 2 °C

Operating junction and storage temperature range

E_AS

I_RRM

100

1.0

T_J, T_STG

-40 to +150

°C

Revision: 16-Dec-14

Document Number: 88981

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
V12P10HM3_A/I	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 12A, 100V V(RRM), Silicon, TO-277A, HALOGEN
V12P10HM386A	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V12P10HM3-86A	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V12P10HM3-87A	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V12P10-M3	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V12P10-M3/86A	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V12P10-M3/87A	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
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V12P10-M3-86A	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V12P10-M3-87A	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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