5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-277 |
| 包装说明： | R-PDSO-F3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.19 |
| Samacsys Confidence： | 4 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 360698 | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | Diode | Samacsys Package Category： | Other |
| Samacsys Footprint Name： | V12P10-M3/86A-5 | Samacsys Released Date： | 2020-04-13 12:49:08 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | FREE WHEELING DIODE |
| 应用： | EFFICIENCY | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.64 V |
| JEDEC-95代码： | TO-277A | JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 200 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 最大输出电流： | 12 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 100 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| V12P10-M3/87A | VISHAY |
类似代替  |
High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| V12P10HE3/87A | VISHAY |
类似代替 |
High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| V12P10-E3/86A | VISHAY |
类似代替 |
High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| V12P10-M3/87A | VISHAY |
获取价格 |
High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| V12P10-M386A | VISHAY |
获取价格 |
High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| V12P10-M3-86A | VISHAY |
获取价格 |
High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| V12P10-M3-87A | VISHAY |
获取价格 |
High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| V12P12 | VISHAY |
获取价格 |
High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| V12P12_11 | VISHAY |
获取价格 |
High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| V12P12_15 | VISHAY |
获取价格 |
High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| V12P12-E3/86A | VISHAY |
获取价格 |
High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| V12P12-E3/87A | VISHAY |
获取价格 |
High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| V12P12-G3/86A | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 12 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A, GREEN, PLASTIC, SMPC, 3 PIN, Rectifi |
|
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
