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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.76 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.85 pF | 集电极-发射极最大电压： | 6 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最高频带： | L BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 | JESD-609代码： | e6 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN BISMUTH |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 9000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPA829TF | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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| UPA829TF-T1 | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, 2 X 1.25 M |
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| UPA82C | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 8-Element, NPN and PNP, Silicon, PLASTIC, DIP-18 |
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| UPA831 | NEC |
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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE |
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| UPA831TC | CEL |
获取价格 |
NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR |
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| UPA831TC | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE |
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| UPA831TC-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sil |
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| UPA831TC-FB | NEC |
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暂无描述 |
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| UPA831TC-FB-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sil |
|
| UPA831TC-T1 | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE |
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