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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | THIN, TS06, 6 PIN |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.69 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 12000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPA832TF(QI) | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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| UPA832TF_99 | NEC |
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NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR |
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| UPA832TFFB | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| UPA832TFFB-T1 | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| UPA832TF-T1 | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI |
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| UPA833TF | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI |
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| UPA833TF(QI) | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, TS06 |
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| UPA833TF_99 | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR |
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| UPA833TFFB | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
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| UPA833TFFB-T1 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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