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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | THIN, MINIMOLD PACKAGE-6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.69 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.7 pF | 集电极-发射极最大电压： | 6 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e6 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN BISMUTH |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 12000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPA832TFFB-T1 | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| UPA832TF-T1 | NEC |
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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI |
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| UPA833TF | NEC |
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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI |
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| UPA833TF(QI) | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, TS06 |
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| UPA833TF_99 | NEC |
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NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR |
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| UPA833TFFB | NEC |
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暂无描述 |
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| UPA833TFFB-T1 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| UPA833TF-T1 | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI |
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| UPA833TF-T1FB | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| UPA834TF | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI |
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