Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> UPA832TF-T1

UPA832TF-T1

更新时间： 2024-02-11 10:55:32

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
12页	66K
描述
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI MOLD PACKAGE

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UPA832TF-T1 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.17	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
基于收集器的最大容量：	0.7 pF	集电极-发射极最大电压：	6 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	12000 MHz
Base Number Matches：	1

UPA832TF-T1 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

Silicon Transistor

µPA832TF

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS)

IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI MOLD PACKAGE

DESCRIPTION

PACKAGE DRAWINGS (Unit:mm)

The µPA832TF has two different built-in transistors (Q1

and Q2) for low noise amplification in the VHF band to UHF

band.

2.10±0.1

1.25±0.1

FEATURES

•

Low noise

Q1 : NF = 1.2 dB TYP. @f = 1 GHz, V^CE= 3 V, I^C= 7 mA

Q2 : NF = 1.5 dB TYP. @f = 2 GHz, V^CE= 3 V, I^C= 3 mA

High gain

Q1 : |S21e|²= 9.0 dB TYP. @f = 1 GHz, V^CE= 3 V, I^C= 7 mA

Q2 : |S21e|²= 8.5 dB TYP. @f = 2 GHz, V^CE= 3 V, I^C= 10 mA

6-pin thin-type small mini mold package

2 different transistors on-chip (2SC4226, 2SC4959)

•

ON-CHIP TRANSISTORS

PIN CONFIGURATION (Top View)

3-pin small mini mold part No.

2SC4226

2SC4959

The µPA835TF features the Q1 and Q2 in inverted positions.

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

QUANTITY

PACKING STYLE

µPA832TF

Loose products 8-mm wide embossed tape.

(50 pcs)

Pin 6 (Q1 Base), pin 5 (Q2

Emitter), and pin 4 (Q2 Base)

face perforated side of tape.

PIN CONNECTIONS

1. Collector (Q1)

2. Emitter (Q1)

4. Base (Q2)

5. Emitter (Q2)

6. Base (Q1)

µPA832TF-T1

Taping products

(3 kpcs/reel)

3. Collector (Q2)

Caution is required concerning excess input, such as from static electricity, because the high-frequency

process is used for this device.

The information in this document is subject to change without notice.

Document No. P12724EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published August 1997 N

Printed in Japan

1997

12 3 4 5 6 7...12

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与UPA832TF-T1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA833TF	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI
UPA833TF(QI)	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, TS06
UPA833TF_99	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
UPA833TFFB	NEC	获取价格	暂无描述
UPA833TFFB-T1	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
UPA833TF-T1	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI
UPA833TF-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
UPA834TF	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI
UPA834TF(QI)	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
UPA834TF_99	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR

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