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UPA829TD-T3FB

更新时间： 2024-02-17 20:30:15

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
24页	116K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6

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UPA829TD-T3FB 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	0.85 pF	集电极-发射极最大电压：	6 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	JESD-609代码：	e6
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	9000 MHz	Base Number Matches：	1

UPA829TD-T3FB 数据手册

µPA829TD

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= +25°C)

Parameter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Ratings

Unit

100

tot ^Note

190 in 1 element

210 in 2 elements

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

T^j

150

°C

T^stg

−65 to +150

Note Mounted on 1.08 cm²× 1.0 mm (t) glass epoxy substrate

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T^A= +25°C)

Parameter

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

Symbol

I^CBO

Test Conditions

MIN.

−

TYP.

−

MAX.

Unit

V^CB= 5 V, I^E= 0 mA

V^BE= 1 V, I^C= 0 mA

100

160

−

I^EBO

−

Note 1

= 1 V, I = 3 mA

4.0

−

Gain Bandwidth Product (1)

Gain Bandwidth Product (2)

Insertion Power Gain (1)

Insertion Power Gain (2)

Noise Figure (1)

f^T

V^CE= 1 V, I^C= 3 mA, f = 2 GHz

V^CE= 3 V, I^C= 20 mA, f = 2 GHz

V^CE= 1 V, I^C= 3 mA, f = 2 GHz

V^CE= 3 V, I^C= 20 mA, f = 2 GHz

4.5

9.0

3.5

6.5

1.7

GHz

f^T

−

S^21e

2.5

−

V^CE= 1 V, I^C= 3 mA, f = 2 GHz,

Z^S= Z^opt

−

2.5

V^CE= 3 V, I^C= 7 mA, f = 2 GHz,

Z^S= Z^opt

Noise Figure (2)

−

1.5

−

Reverse Transfer Capacitance

re ^{Note 2}

= 1 V, I = 0 mA, f = 1 MHz

0.75

0.85

Notes 1. Pulse measurement: PW ≤ 350 µs, Duty Cycle ≤ 2%

2. Collector to base capacitance measured using capacitance meter (self-balancing bridge method) when

the emitter is connected to the guard pin

h^FECLASSIFICATION

Rank

Marking

h^FEValue

80 to 160

Data Sheet P15357EJ1V0DS

123 4 5 6 7...24

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与UPA829TD-T3FB相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
UPA829TF	NEC	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	获取价格
UPA829TF-T1	NEC	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, 2 X 1.25 M	获取价格
UPA82C	NEC	Small Signal Bipolar Transistor, 8-Element, NPN and PNP, Silicon, PLASTIC, DIP-18	获取价格
UPA831	NEC	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE	获取价格
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UPA831TC	NEC	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE	获取价格