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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.25 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.065 A | 基于收集器的最大容量： | 0.9 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 10 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 7000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPA831TF-T1 | NEC |
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NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR |
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| UPA832 | NEC |
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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI |
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| UPA832TF | NEC |
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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI |
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| UPA832TF(Q2) | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| UPA832TF(QI) | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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| UPA832TF_99 | NEC |
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NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR |
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| UPA832TFFB | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| UPA832TFFB-T1 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| UPA832TF-T1 | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI |
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| UPA833TF | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI |
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