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UPA829TD-T3FB

更新时间： 2024-02-20 21:57:40
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
24页 116K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6

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UPA829TD-T3FB 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.1 A
基于收集器的最大容量：0.85 pF集电极-发射极最大电压：6 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e6
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN BISMUTH
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：9000 MHzBase Number Matches：1

UPA829TD-T3FB 数据手册

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µPA829TD  
INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG  
vs. COLLECTOR CURRENT  
INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG  
vs. COLLECTOR CURRENT  
20  
15  
10  
20  
15  
10  
V
CE = 1 V  
VCE = 2 V  
f = 1 GHz  
MSG  
MAG  
f = 1 GHz  
MSG  
MAG  
2
|S21e  
|
2
|S21e  
|
5
0
5
0
1
10  
Collector Current I  
100  
1
10  
Collector Current I (mA)  
100  
C
(mA)  
C
INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG  
vs. COLLECTOR CURRENT  
INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG  
vs. COLLECTOR CURRENT  
20  
15  
10  
20  
15  
10  
V
CE = 1 V  
VCE = 2 V  
f = 2 GHz  
f = 2 GHz  
MSG  
MSG  
MAG  
MAG  
2
|S21e  
|
2
|S21e  
|
5
0
5
0
1
10  
Collector Current I  
100  
1
10  
Collector Current I (mA)  
100  
C
(mA)  
C
INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG  
vs. COLLECTOR CURRENT  
INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG  
vs. COLLECTOR CURRENT  
10  
15  
10  
5
V
CE = 1 V  
VCE = 2 V  
f = 4 GHz  
f = 4 GHz  
MAG  
5
MAG  
2
0
|S21e  
|
2
|S21e  
|
–5  
0
–10  
–5  
1
10  
Collector Current I  
100  
1
10  
Collector Current I (mA)  
100  
C
(mA)  
C
7
Data Sheet P15357EJ1V0DS  
1...45678910...24

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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