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UPA806TKB-A

更新时间： 2024-01-03 19:01:16

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器 ISM频段光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	42K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN

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UPA806TKB-A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.26
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	基于收集器的最大容量：	0.7 pF
集电极-发射极最大电压：	6 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	12000 MHz	Base Number Matches：	1

UPA806TKB-A 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

µPA806T

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

(WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS) MINI MOLD

FEATURES

PACKAGE DRAWINGS

•

Low Noise, High Gain

(Unit: m m )

Operable at Low Voltage

Sm all Feed-back Capacitance

C^re= 0.4 pF TYP.

2.1±0.1

1.25±0.1

•

Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4959)

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

QUANTITY

PACKING STYLE

µPA806T

Loose products

(50 PCS)

Em bossed tape 8 m m wide. Pin 6 (Q1

Base), Pin 5 (Q2 Base), Pin 4 (Q2 Em itter)

face to perforation side of the tape.

µPA806T-T1

Taping products

(3 KPCS/Reel)

PIN CONFIGURATION (Top View )

Rem ark If you require an evaluation sam ple, please contact an NEC

Sales Representative. (Unit sam ple quantity is 50 pcs.)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

PARAMETER

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

RATING

UNIT

Collector to Base Voltage

Collector to Em itter Voltage

Em itter to Base Voltage

Collector Current

PIN CONNECTIONS

1. Collector (Q1)

2. Emitter (Q1)

4. Emitter (Q2)

5. Base (Q2)

6. Base (Q1)

m A

m W

3. Collector (Q2)

Total Power Dissipation

150 in 1 elem ent

200 in 2 elem ents

Note

J unction Tem perature

Storage Tem perature

150

˚C

Tstg

–65 to +150

Note 110 m W m ust not be exceeded in 1 elem ent.

The inform ation in this docum ent is subject to change w ithout notice.

Document No. ID-3640

(O.D. No. ID-9147)

Date Published April 1995 P

Printed in Japan

1995

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA806T-T1	RENESAS	获取价格	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
UPA806T-T1	NEC	获取价格	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MI
UPA806T-T1-A	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA806T-T1KB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN,
UPA806T-T1-KB	RENESAS	获取价格	2 CHANNEL, L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-6
UPA806T-T1KB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD
UPA807	NEC	获取价格	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SU
UPA807T	NEC	获取价格	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SU
UPA807T	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA807T-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 2-Element, S Band, Silicon, NPN,

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