UPA806T

更新时间： 2024-01-08 20:35:26

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日电电子 - NEC		晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波光电二极管
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MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD

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UPA806T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	基于收集器的最大容量：	0.7 pF
集电极-发射极最大电压：	6 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	12000 MHz
Base Number Matches：	1

UPA806T 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

µPA806T

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

(WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS) MINI MOLD

FEATURES

PACKAGE DRAWINGS

•

Low Noise, High Gain

(Unit: m m )

Operable at Low Voltage

Sm all Feed-back Capacitance

C^re= 0.4 pF TYP.

2.1±0.1

1.25±0.1

•

Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4959)

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

QUANTITY

PACKING STYLE

µPA806T

Loose products

(50 PCS)

Em bossed tape 8 m m wide. Pin 6 (Q1

Base), Pin 5 (Q2 Base), Pin 4 (Q2 Em itter)

face to perforation side of the tape.

µPA806T-T1

Taping products

(3 KPCS/Reel)

PIN CONFIGURATION (Top View )

Rem ark If you require an evaluation sam ple, please contact an NEC

Sales Representative. (Unit sam ple quantity is 50 pcs.)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

PARAMETER

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

RATING

UNIT

Collector to Base Voltage

Collector to Em itter Voltage

Em itter to Base Voltage

Collector Current

PIN CONNECTIONS

1. Collector (Q1)

2. Emitter (Q1)

4. Emitter (Q2)

5. Base (Q2)

6. Base (Q1)

m A

m W

3. Collector (Q2)

Total Power Dissipation

150 in 1 elem ent

200 in 2 elem ents

Note

J unction Tem perature

Storage Tem perature

150

˚C

Tstg

–65 to +150

Note 110 m W m ust not be exceeded in 1 elem ent.

The inform ation in this docum ent is subject to change w ithout notice.

Document No. ID-3640

(O.D. No. ID-9147)

Date Published April 1995 P

Printed in Japan

1995

12 3 4 5 6

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UPA806T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BFM505,115	NXP	功能相似	Dual NPN wideband transistor TSSOP 6-Pin
BFS481	INFINEON	功能相似	NPN Silicon RF Transistor (For low-noise, high-gain broadband amplifier at collector curre
BFS480	INFINEON	功能相似	NPN Silicon RF Transistor (For low noise, low-power amplifiers in mobile communication sys

与UPA806T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA806TKB	NEC	获取价格	2 CHANNEL, L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
UPA806T-KB	RENESAS	获取价格	2 CHANNEL, L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-6
UPA806T-KB-A	NEC	获取价格	暂无描述
UPA806TKB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN
UPA806T-T1	RENESAS	获取价格	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
UPA806T-T1	NEC	获取价格	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MI
UPA806T-T1-A	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA806T-T1KB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN,
UPA806T-T1-KB	RENESAS	获取价格	2 CHANNEL, L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-6
UPA806T-T1KB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD

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