UPA502T

更新时间： 2024-11-05 22:49:27

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日电电子 - NEC		晶体小信号场效应晶体管光电二极管
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6页	64K
描述
N-CHANNEL MOS FET 5-PIN 2 CIRCUITS

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UPA502T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.38	Is Samacsys：	N
配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS	最小漏源击穿电压：	50 V
最大漏极电流 (ID)：	0.1 A	最大漏源导通电阻：	30 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UPA502T 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

µPA502T

N-CHANNEL MOS FET (5-PIN 2 CIRCUITS)

The µPA502T is a mini-mold device provided with two

MOS FET circuits. It achieves high-density mounting and

saves mounting costs.

PACKAGE DIMENSIONS (in millimeters)

+0.1

–0.06

0.32

–0.05

0.16

FEATURES

•

Two source common MOS FET circuits in package the

same size as SC-59

0 to 0.1

•

Complement to µPA503T

Automatic mounting supported

0.8

0.95 0.95

1.9

1.1 to 1.4

2.9 ±0.2

PIN CONNECTION (Top view)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

PARAMETER

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

SYMBOL

VDSS

VGSS

ID(DC)

ID(pulse)*

RATINGS

UNIT

±20

100

˚C

Drain Current (pulse)

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

200

300 (TOTAL)

150

Tch

Tstg

–55 to 150

˚C

* PW ≤ 10 ms, Duty Cycle ≤ 50 %

Document No. G11238EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published June 1996 P

Printed in Japan

1996

12 3 4 5 6

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