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UPA505T-A

更新时间： 2024-11-06 21:11:23

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	88K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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UPA505T-A 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.38
配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS	最小漏源击穿电压：	50 V
最大漏极电流 (ID)：	0.1 A	最大漏源导通电阻：	100 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
元件数量：	2	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UPA505T-A 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

µPA505T

N-CHANNEL/P-CHANNEL MOS FET (5-PIN 2 CIRCUITS)

The µPA505T is a mini-mold device provided with two

MOS FET circuits. It achieves high-density mounting and

saves mounting costs.

PACKAGE DIMENSIONS (in millimeters)

+0.1

0.32

–0.05

0.16

–0.06

FEATURES

•

Two source common MOS FET circuits in package the

same size as SC-59

0 to 0.1

•

Complementary MOS FETs are provided in one package.

Automatic mounting supported

0.8

0.95 0.95

1.1 to 1.4

1.9

2.9 ±0.2

PIN CONNECTION (Top View)

Marking: FA

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

PARAMETER

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

SYMBOL

VDSS

VGSS

ID(DC)

ID(pulse)*

RATINGS

UNIT

50/–50

–

±20/+16

–

±100/+100

˚C

–

Drain Current (pulse)

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

±200/+200

300 (TOTAL)

150

Tch

Tstg

–55 to +150

˚C

* PW ≤ 10 ms, Duty Cycle ≤ 50 %

Note The left and right values in the ratings column are correspond to N-ch and P-ch FETs, respectively.

Document No. G11241EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published June 1996 P

Printed in Japan

1996

12 3 4 5 6 7...9

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与UPA505T-A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA506T	RENESAS	获取价格	100mA, 50V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
UPA506T-AT	RENESAS	获取价格	UPA506T-AT
UPA506T-T1-A	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,ARRAY,COMM EMITTER,COMPLEMENTARY,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-25
UPA506T-T1-AT	RENESAS	获取价格	UPA506T-T1-AT
UPA506T-T2-A	RENESAS	获取价格	UPA506T-T2-AT
UPA507TE	NEC	获取价格	P-CHANNEL MOS FET WITH SCHOTTKY BARRIER DIODE FOR SWITCHING
UPA507TE-A	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
UPA507TE-T1	RENESAS	获取价格	UPA507TE-T1
UPA507TE-T1-A	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
UPA507TE-T1-AT	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o